metalorganic chemical vapor deposition中文是什么意思

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中文翻譯
造句

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法

chemical adj. 化學(xué)的，化學(xué)作用的；應(yīng)用化學(xué)的，用化學(xué)方法獲得 ...
vapor n. 〔美國(guó)〕＝ vapour.
deposition n. 1.免職，罷免；廢位。 2.淤積[沉積](物，作用 ...
chemical vapor deposition 化學(xué)電鍍; 化學(xué)氣相沉積; 化學(xué)氣相淀積; 化學(xué)汽相淀積; 化學(xué)蒸鍍; 化學(xué)蒸氣沉積法; 化學(xué)蒸汽淀積; 化學(xué)蒸著鍍
chemical vapor deposition (cvd) 化學(xué)汽相沉積; 化學(xué)汽相淀積
chemical vapor deposition film 化學(xué)汽相淀積膜
chemical vapor deposition method 化學(xué)氣相淀積工藝
chemical vapor deposition process 化學(xué)氣相沉積
chemical vapor deposition reactor 化學(xué)汽相淀積反應(yīng)器
chemical vapor deposition system 化學(xué)汽相沉積系統(tǒng)
cvd chemical vapor deposition 化學(xué)水汽沉積
deposition, chemical vapor (cvd) 化學(xué)汽相沉積
modified chemical vapor deposition 改進(jìn)的化學(xué)汽相沉積; 改進(jìn)的化學(xué)汽相淀積
plasma chemical vapor deposition 等離子化學(xué)氣相沉積; 等離子體化學(xué)汽相淀積
vacuum chemical vapor deposition 真空化學(xué)汽相淀積
lcvd laser chemical vapor deposition 激光化學(xué)汽相淀積
low pressure chemical vapor deposition 低壓化學(xué)汽相淀積
low-pressure chemical vapor deposition 低壓化學(xué)汽相沉積
metal organic chemical vapor deposition 金屬有機(jī)氣相沉積
plasma enhance chemical vapor deposition 電漿增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積法
vapor deposition 氣相沉積; 氣相淀積; 汽相沉淀; 汽相淀積; 真空鍍膜; 蒸汽沉積
chemical deposition 化學(xué)沉積; 化學(xué)淀積
metalorganic 金屬有機(jī)的; 有機(jī)金屬的
axial vapor phase deposition 軸汽態(tài)淀積
deposition physical vapor 物理汽相沉積

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例句與用法

To overcome the bottle - neck , electron cyclotron resonance - plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition was developed
為了解決這一問(wèn)題，電子回旋共振ecr等離子體增強(qiáng)有機(jī)金屬氣相沉積( ecr - pemocvd )應(yīng)運(yùn)而生。
In this thesis , the zns , znse films and znse quantum dots ( qds ) have been obtained by metalorganic chemical vapor deposition ( mocvd )
本論文利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積( mocvd )系統(tǒng)控制生長(zhǎng)條件制備了zns 、 znse薄膜和znse量子點(diǎn)。
Mg ions were implanted on mg - doped gan grown by metalorganic chemical vapor deposition . the p - type gan was achieved with high hole concentration 8 . 2810
應(yīng)用mg離子注入mocvd法生長(zhǎng)摻雜mg的gan中，在經(jīng)過(guò)800 , 1h的退火后，獲得高空穴載流子濃度8 . 2810
At present the prevailing epitaxial growth techniques of gan are metalorganic chemical vapor deposition ( mocvd ) , molecule beam epitaxy ( mbe ) as well as hvpe
目前gan的外延生長(zhǎng)技術(shù)一般采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相外延法( mocvd ) ，在藍(lán)寶石襯底的( 0001 )面上外延生長(zhǎng)gan材料，另外還有分子束外延技術(shù)( mbe )及鹵化物汽相外延技術(shù)( hvpe )等。
Thin sin layers and nitride - based multiquantum well ( mqw ) light emitting diode ( led ) structures with conventional single gan buffer and gan / sin double buffers were grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition ( mocvd )
摘要以有機(jī)金屬化學(xué)氣象沉積在藍(lán)寶石基板上成長(zhǎng)由單一氮化鎵成核層與氮化鎵/氮化矽雙緩沖層所形成的兩種不同氮基礎(chǔ)的多層量子井發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)。
In order to study these two questions , high quality nanocrystalline zno thin films were prepared by thermal oxidation of zns thin films , which were deposited by using low pressure metalorganic chemical vapor deposition technique
針對(duì)這兩方面問(wèn)題我們做了如下研究：利用低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（ lp - mocvd ）工藝，首先在二氧化硅襯底上生長(zhǎng)納米zns薄膜，然后，在不同溫度下進(jìn)行熱氧化處理。

其他語(yǔ)種釋義

metalorganic chemical vapor depositionとは意味：有機(jī)金屬化學(xué)気相成長(zhǎng)法｛ゆうききんぞくかがくきそうせいちょうほう｝◆【略】MOCVD

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